1、傳統的干法刻蝕不適合用于注入層，因為它的工藝復雜而且在刻蝕過(guò)程中可能導致基片損壞。
2、研究常壓等離子射流處理對羊毛織物正反面染色性的影響，從而探索常壓等離子射流刻蝕在織物中的滲透性。
3、列舉一些對本技術(shù)發(fā)展帶有突破性意義的里程碑，并敘述干法刻蝕技術(shù)在微電子學(xué)和光電子學(xué)等重要應用領(lǐng)域的作用。
4、采用反應離子刻蝕，各向異性化學(xué)腐蝕及自限制熱氧化過(guò)程在襯底上制備出高質(zhì)量的超精細硅量子線(xiàn)。
5、衍射光學(xué)元件在制作過(guò)程中，存在掩模對準、線(xiàn)寬和刻蝕深度等制作誤差。
6、最后利用三維表面形貌儀，分別對濕法刻蝕和干法刻蝕的磁頭結構進(jìn)行了數據分析。
7、你有信仰就年輕，疑惑就年老。有自信就年輕，畏懼就年老。有希望就年輕，絕望就年老。歲月刻蝕的不過(guò)是你的皮膚，但如果失去了熱忱，你的靈魂就不再年輕。
8、田納西河刻蝕著(zhù)坎伯蘭高原的東部邊緣。
9、通過(guò)深紫外光刻和感應耦合等離子刻蝕設備，制備了所設計的器件。
10、目前，刻蝕技術(shù)已經(jīng)成為集成電路生產(chǎn)中的標準技術(shù)，干法刻蝕設備亦成為關(guān)鍵設備。
11、應用感應耦合等離子體技術(shù)首次實(shí)現了對銻化銦薄膜的干法刻蝕。
12、在器件中引入增益耦合機制以提高單模成品率，并采用感應耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)以降低調制器電容。
13、通過(guò)優(yōu)化刻蝕參數，獲得了側壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的脊形波導。
14、該器件采用一次深刻蝕與一次淺刻蝕，從而屏蔽掉“靜態(tài)鏡面”的影響。
15、并且詳細論述離子刻蝕的原理以及離子源的參數設計。
16、蘸水筆技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新的掃描探針刻蝕加工技術(shù)，有著(zhù)廣泛的應用前景。
17、本發(fā)明公開(kāi)了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位于所述碳化硅層之上的氮化硅層。
18、通過(guò)對光刻工藝過(guò)程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機械、微光學(xué)器件提供了參考依據，對微浮雕結構的深刻蝕具有重要的指導意義。
19、曲軸修理過(guò)程中進(jìn)行曲軸剩余強度校核十分重要，結合董氏無(wú)刻蝕鍍鐵工藝修復十分可靠。文中以某輪曲軸修復為例，介紹了鍍鐵修復工藝及曲軸強度校核計算。
20、等離子體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結構的干法刻蝕技術(shù)。
21、與傳統濕法腐蝕比較，干法刻蝕具有各向異性、對不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復性好、易于實(shí)現自動(dòng)連續生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
22、本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡(jiǎn)述干刻清洗工藝開(kāi)發(fā)和評價(jià)過(guò)程。
23、對這種結構的形變特性進(jìn)行了實(shí)驗測試，考慮到測量誤差與濕法刻蝕造成膜表面的不平整因素，測實(shí)結果與模擬結果較為相符。
24、通過(guò)納米制備技術(shù)研究者在氮化硅中刻蝕出許多空洞以構成所需圖案，使得波導具有合適的隱形折射率。
25、用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。
26、本項研究是在分析比較現有各種鍍鐵工藝的基礎上，采用了一種新的無(wú)刻蝕鍍鐵及其復合鍍工藝。
27、本發(fā)明過(guò)孔的制備過(guò)程工藝簡(jiǎn)單，操作性比通過(guò)刻蝕的方法方便，降低了工藝成本。
28、介紹了一種無(wú)刻蝕直流鍍鐵工藝。
29、運用相位掩模法刻蝕光纖光柵，該方法對光源的時(shí)間相干性和單色性要求較低，工藝簡(jiǎn)單，成品率高。
30、由此解釋了無(wú)刻蝕鍍鐵層具有高結合強度的原因。
31、刻蝕工藝的分辨率是圖形轉移保真度的量度。
32、對硅的干法刻蝕技術(shù)是現代半導體工業(yè)中非常重要的一項工藝。